12月23日上午，校友、香港理工大学应用物理系的博导、助理教授杨明应邀来校，为我院师生做了题为“二维半导体载流子迁移率的调控与介电层集成”的讲座，讲座由仇国华教授主持。

杨明博士介绍了关于二维半导体二硫化钼的性能优化和高k电介质界面的改善，重点讨论了通过引入弯曲晶格结构提高载流子迁移率、氢化改善界面性能，并利用数据驱动方法加速开发适用于二维二硫化钼电子器件的高性能高k电介质。

讲座中，杨明博士还以自身经历鼓励同学们找到自己的兴趣点和奋斗方向，引发了师生们的深思和共鸣。

12月23日下午，杨明博士与院领导、集成电路设计与集成系统专业的部分教师进行交流座谈。杨博士对学校学院的事业发展状况表示肯定和由衷的高兴，同时结合学科专业建设、科研方法方向等内容谈了他的意见和建议，最后围绕CMOS集成电路器件的前沿研究展开分析，希望大家能够多关注这方面的发展情况，不断提高人才培养质量。